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文件名称:集成电路制造工艺 课件 3.3 光刻工艺的基本流程.pptx
文件大小:4.06 MB
总页数:25 页
更新时间:2026-01-04
总字数:约小于1千字
文档摘要
集成电路制造工艺
--光刻工艺的基本流程;;;§3.3光刻的工艺流程;核心:涂胶前烘曝光显影后烘;1.涂胶前的预处理:;2.涂胶的方法-----;片架到片架的涂胶法;(1)将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除
(2)增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好地粘附
(3)缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力;2.前烘的方法;3.前烘的质量控制;前烘时关键控制好前烘的温度和时间;(1)对准是什么?;为什么要对准?
;(3)对准的指标:
套准精度,测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。具体是指要形成的图形层与前层的