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文档摘要

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集成电路制造工艺

--化学气相淀积;;§2.3薄膜制备-化学气相淀积;化学气相淀积，简称CVD，它是通过气体混合的化学反应的方式在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺。;1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区

2）反应物由主气流扩散到衬底表面

3）反应物分子吸附在衬底表面上

4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜

5）反应副产物分子从衬底表面解吸，扩散到主气流中，排出沉积区;;;1）APCVD常压化学气相淀积;2）LPCVD低压化学气相淀积;3）PECVD等离子体增强型化学气相淀积;1）APCVD

（1）用硅