基本信息

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文档摘要

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高等物理实验

快速退火

区熔再结晶

SiNx薄膜的制备

CVD方法简介

---化学气相沉积(chemicalvapordeposition):

常压化学气相沉积;

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）;

低压化学气相沉积（LPCVD）等;

CVD方法的优点

1、可制备多种薄膜;

2、成膜速度快，效率高;

3、镀膜的绕射性好，具有台阶覆盖性;

4、所得薄膜的纯度高，致密性好，结晶良好;

5、与基底的附着力好，残余应力小;

6、沉积表面较平滑……..

CVD缺点，反应温度较高，基体材料受到破坏，一定程度上限制了CVD的应用范围。

LPCVD制备氮化硅薄膜

低压:

反