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文件名称：集成电路制造工艺 课件 2.2 热氧化.pptx
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总页数：73 页
更新时间：2026-01-04
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文档摘要
集成电路制造工艺
--二氧化硅的热氧化机理;第二章薄膜制备;薄膜制备;主要内容;热氧化：高温下，洁净的硅片与氧化剂反应生成一层SiO2膜;热氧化的特点;氧化反应始终发生在Si/SiO2的界面处;;由于氧化时加入了氧原子，所以体积增加;CSi=5.0?1022cm-3
CSiO2=2.2?1022cm-3;反应机理结论;热氧化生长的模型------迪尔格罗夫模型;;;;16;主要内容;热氧化速率的影响因素;热氧化速率的影响因素;氧化方法对氧化速率的影响;;;温度和晶向对氧化速率的影响;氧化剂压力对氧化速率的影响;掺杂对氧化速率的影响;主要内容;§2.2.2基本的热氧化方法;原理：干