基本信息

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文档摘要

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基于自相关测量方法的光电导开关设计与信号模拟深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

近十年来，超高速电子器件及光电子器件发展极为迅猛。在半导体材料制造技术方面，(低温)分子束外延生长技术（MBE）得以广泛应用，其能够在原子尺度上精确控制材料的生长，制备出高质量、低缺陷的半导体薄膜，为超高速器件的发展奠定了坚实基础。离子注入技术则可以精确地控制半导体中杂质的种类和浓度，实现对器件电学性能的精准调控。微米级的制作技术不断进步，让器件的尺寸得以不断缩小，集成度大幅提高，进而提升了器件的运行速度。在这些先进技术的推动下，半导体器件的速度已经达到几个皮秒（10^{-12}S）甚至亚皮秒级别。