氧化锌MOCVD设备研制与生长工艺的深度剖析与创新实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域的蓬勃发展进程中，新型半导体材料的研究与应用始终是推动行业进步的核心驱动力。氧化锌（ZnO）作为一种具有独特物理性质和广泛应用前景的宽带隙半导体材料，近年来受到了科研人员的高度关注。其室温下高达3.37eV的宽带隙，为其在短波长光电器件中的应用奠定了坚实基础，使氧化锌能够有效吸收和发射紫外光，在紫外探测器、紫外发光二极管（UV-LED）等领域展现出巨大的应用潜力。同时，氧化锌具有高达60meV的激子结合能，远高于室温下的热离化能（26meV），这一特性使得氧化锌在室温条件下能够实