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摘要

电子器件小型集成化发展使传统介电材料难满足现代设备要求，聚合物因质

轻、易加工和耐击穿成研究热点，但低介电常数限制其在高介电领域应用。聚氨

酯有高介电常数等特性，应用广泛，然而传统PU电击穿强度低，限制其在高储

能领域应用。为此，本文通过分子设计，用4,4’-二氨基二苯醚(ODA)将脲基引入

PU骨架，以含ODA的PU薄膜为基体，选聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和1,3,5-

三(4-氨基苯氧基苯)即(135TAPOB)为改性剂，经物理共混和化学交联等改性，制

备高介电、高