基本信息
文件名称：半导体制造工艺晶体的生长.docx
文件大小：2.02 MB
总页数：55 页
更新时间：2026-01-07
总字数：约4.73千字
文档摘要
半导体制备工艺原理
第一章晶体生长
半导体器件与工艺
半导体制备工艺原理
第一章晶体生长
一、衬底材料的类型
1.元素半导体Si、Ge….
2.化合物半导体GaAs、SiC、GaN…
半导体制备工艺原理
第一章晶体生长
二、对衬底材料的要求
?导电类型：N型与P型都易制备；
?电阻率：0.01-105Ω·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）；
?寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命；开关器件—短寿命；
?晶格完整性：低位错（1000个/cm2）；
?纯度高：电子级硅（EGS）--1/109杂质；
?晶向