探索n-型铪掺杂锰氧化物薄膜及异质结：多场调控下的性能变革与效应解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子学领域始终是推动社会进步和科技创新的核心力量之一。随着信息技术的不断演进，对电子器件的性能、尺寸和功能多样性提出了越来越高的要求。新型电子器件的研发成为了学术界和产业界共同关注的焦点，而n-型铪掺杂锰氧化物薄膜及异质结的出现，为新型电子器件的发展带来了新的机遇和挑战。

n-型铪掺杂锰氧化物薄膜及异质结凭借其独特的物理性质，在电子学领域占据着举足轻重的地位。在众多强关联复杂氧化物中，钙钛矿型锰氧化物由于多种电子相的共存和竞争（即相分离现象）而被广泛研究。