InGaN多量子阱发光特性：机理、影响因素及优化策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域持续发展的进程中，新型半导体材料及其相关结构的研究始终是推动技术革新的关键力量。其中，InGaN多量子阱凭借其独特的物理性质和卓越的光电性能，在众多光电器件中占据了核心地位，成为科研人员深入探索和产业界广泛关注的焦点。

InGaN材料体系属于第三代半导体，具备宽禁带、高电子迁移率以及出色的化学稳定性等显著优势。当InGaN与GaN构成多量子阱结构时，量子限制效应得以充分展现，从而极大地改变了材料的电子态分布和光学特性。这种结构不仅能够有效地限制电子和空穴在量子阱层内的运动，增加它