绝缘栅双极型晶体管（IGBT）坚固性的多维度剖析与提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业和电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）占据着举足轻重的地位，被誉为电力电子装置的“CPU”。作为一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，IGBT巧妙地融合了双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）的优势，具有高输入阻抗、低驱动功率、低饱和压降、高电流密度以及良好的开关特性等一系列卓越性能。这些出色的特性使得IGBT在众多领域中得到了极为广泛的应用，成为实现电能高效转换与精确控制的核心器