探索具有背势垒的GaN基HEMT：结构、性能与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对半导体器件的性能要求日益严苛。在众多半导体材料中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理特性，如宽禁带宽度（约3.4eV）、高电子迁移率（约2000cm2/V?s）、高饱和漂移速度（约2.7×10?cm/s）以及高热导率（约1.3W/cm?K）等，成为构建高性能电子器件的理想选择。基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT），更是在射频、电力电子等关键领域展现出巨大的应用潜力。

在射频领域，随着5G通信技术的普及以及未来6G通信技术的研发推进，对射频器