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文件名称：基于第七代IGBT技术三电平逆变器拓扑架构的技术优势.pdf
文件大小：4.25 MB
总页数：10 页
更新时间：2026-01-12
总字数：约6.09千字
文档摘要
基于第七代IGBT技术三电平逆变器拓扑架构的技术优势
当电能质量和效率是电力电子应用的驱动因素，则三电平拓扑就
是其中的关键，尤其是在可再生能源领域的应用。三电平拓扑结合最
新的第七代IGBT产品，确立了新能源应用的新基准。在过去的几个
月里，SEMIKRON从两家不同的制造商引进了950伏和1200伏第7代
IGBTso两个第7代IGBTs都比以前的版本有了根本性的改进。由于
采用了新的芯片设计，在所有电流等中，芯片尺寸平均缩小了25%。
这样可以在现有模块外壳中提供更高的标称电流，从而获得更高的电
流密度，并使饱和电压Vce(sa