探究铁酸铋薄膜阻变性能及Nb掺杂改性的作用机制与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，对存储器的性能要求不断提高，传统存储器在存储密度、读写速度、功耗等方面逐渐接近物理极限，难以满足大数据时代的需求。开发新型高性能存储器成为半导体领域的研究热点。铁酸铋（BiFeO_3，BFO）薄膜作为一种具有独特物理性质的材料，在阻变存储器等领域展现出巨大的应用潜力，吸引了众多研究者的关注。

铁酸铋是目前唯一在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的单相多铁性材料，其铁电居里温度高达约830℃，反铁磁奈尔温度约为370℃。这种多铁特性使得铁酸铋薄膜在信息存储领域具有显著优势。在存储