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文件名称:新型磁性氧化物单晶薄膜:制备工艺与多自由度耦合机理的深度剖析.docx
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总页数:21 页
更新时间:2026-01-13
总字数:约2.71万字
文档摘要
新型磁性氧化物单晶薄膜:制备工艺与多自由度耦合机理的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代科技飞速发展的浪潮中,磁性氧化物单晶薄膜凭借其独特的物理性质,在众多领域展现出不可或缺的重要性。从信息技术领域的高密度存储,到能源领域的高效能量转换,再到传感器领域的高灵敏度探测,磁性氧化物单晶薄膜都扮演着关键角色。其卓越的性能源于原子层面的有序排列和独特的晶体结构,使得电子、自旋、晶格等自由度之间能够产生复杂而微妙的相互作用,进而赋予材料丰富多样的物理特性。
在信息技术领域,随着大数据时代的来临,对数据存储密度和读写速度的要求呈指数级增长。磁性氧化物单晶薄膜因其具有高磁各向异性、低磁滞损耗和