应力对AlGaN/GaNHEMT电学性能影响的多维度探究

一、引言

1.1研究背景

随着现代电子技术的飞速发展，对高性能半导体器件的需求日益增长。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为宽禁带半导体器件的杰出代表，凭借其独特的材料特性和优异的电学性能，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为当前电子领域的研究热点之一。

AlGaN/GaNHEMT器件具有高电子迁移率、高饱和电子速度、高击穿电场以及低导通电阻等显著优势。高电子迁移率使得电子在器件沟道中能够快速移动，极大地提高了器件的开关速度和信号处理能力，使其在高频通信领域表现卓越，如5G乃至未来的6G通信中的基站射