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文档摘要

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氧化锌粉体：形貌、掺杂调控及其性能关联的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

氧化锌（ZnO）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料，在光、电、磁等领域展现出广泛的应用前景，受到了科研人员的高度关注。其室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，这赋予了氧化锌在短波长光电器件应用中的独特优势，如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外探测器等。此外，氧化锌还具备良好的电学性能，其电阻率可通过多种方式灵活调节，以满足不同电子器件对电导性能的严苛要求；同时，优异的压电性能使其在压电传感器和压电执行器等领域发挥着关键作用。在透明导电薄膜领域，通过特定的掺杂工艺，氧化锌能够