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文件名称:aumgozno mis异质结光发射器件的制备和电致发光研究.pdf
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更新时间:2026-01-15
总字数:约1.29万字
文档摘要

第一章绪论

1.1研究背景

材料是一个时期文明发达程度的重要体现,许多时期都是以一种代表性材料来命名的。而在如今

这个时代,半导体材料作为信息传输和储存的主要材料越来越受到人们的重视。短波长光电子器件在

照明、存储、国防等领域有

着举足轻重的作用,自20世纪90年代,日本科学家研制出了GaN同质结蓝光LED,从此GaN材料走

上应用。

GaN具有宽的直接带隙、极强的离子键、较高的热导率以及超强的抗腐蚀抗辐射能力,成为当今

半导体材料的研究热点之一,被称为第三代半导体的曙光。但是,由于GaN材料的生产成本很高以及

地球上的Ga的存