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摘要

β-Ga?O?作为典型宽带隙半导体，在日盲紫外探测、化学传感及高压电力等

领域具有广泛应用前景。本文采用第一性原理，基于周期性超晶胞模型，对本征、

单元素掺杂、多元素共掺杂β-Ga?O?及Cs吸附β-Ga?O?(100)共掺杂体系表面结构

进行系统计算，分析形成能、吸附能、能带、态密度和光学响应特性，重点探讨

不同掺杂策略对其电子结构和光学性质的调控机制，为优化紫外探测器性能提供

理论依据。具体研究内容如下：

(1)建立并优化本征β-Ga?O?结构，计算三种氧空位和两种镓空位的形成能