基本信息
文件名称：英飞凌（Infineon）IGBT模块 FZ1800R45HL4_S7 数据手册.pdf
文件大小：963.11 KB
总页数：15 页
更新时间：2026-01-16
总字数：约4.53万字
文档摘要
FZ1800R45HL4_S7
IHM-B模块
Finaldatasheet
IHM-B模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管
特性
?电气特性
-VCES=4500V
-ICnom=1800A/ICRM=3600A
-高直流电压稳定性
-高动态稳定性
-高短路能力
-低VCEsat
-沟槽栅IGBT4
-VCEsat带正温度系数
?机械特性
-封装的CTI600
-标准封装
-碳