基于RTD的通用逻辑单元设计与应用探索：原理、实现与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子系统的核心，其性能和功能不断提升。然而，传统的互补金属氧化物半导体（CMOS）技术在不断追求更高集成度和性能的过程中，逐渐逼近其物理极限，面临着诸如短沟道效应、热耗散和量子力学效应等挑战，这限制了集成电路进一步向更小尺寸和更高性能发展。

在这样的背景下，共振隧穿二极管（ResonantTunnelingDiode，RTD）作为一种具有独特电学特性的量子器件，受到了广泛关注。RTD基于电子的共振隧穿效应工作，展现出一系列优异的特性。其最显著的特性之一是负微