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文件名称:基于第一性原理剖析四元半导体Cu?ZnGeSe?本征缺陷及其性能关联.docx
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总页数:23 页
更新时间:2026-01-19
总字数:约3.07万字
文档摘要
基于第一性原理剖析四元半导体Cu?ZnGeSe?本征缺陷及其性能关联
一、引言
1.1研究背景与意义
在全球能源需求持续增长以及对环境保护日益重视的背景下,开发高效、可持续的清洁能源技术成为当务之急。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源,其利用技术——太阳能电池,近年来受到了广泛关注。太阳能电池能够将太阳能直接转化为电能,具有清洁、低碳、可持续利用等显著优势,在解决传统化石能源短缺和未来能源危机问题上,展现出巨大的潜力,是实现“碳达峰、碳中和”目标的重要手段之一。
目前,太阳能电池主要分为硅基太阳能电池和薄膜类太阳能电池。硅基太阳能电池虽然已实现商业化,但面临着效率瓶颈和成本