离子注入与退火工艺对LTPS-TFT特性影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，显示技术作为信息呈现的关键窗口，已广泛渗透到人们生活的各个角落，从日常使用的手机、平板电脑，到办公用的电脑显示器，再到家庭娱乐的电视以及公共场合的大型显示屏等，其重要性不言而喻。低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）凭借独特优势，在显示领域占据重要地位，成为推动显示技术发展的核心力量。

与传统的非晶硅薄膜晶体管（a-SiTFT）相比，LTPS-TFT具有诸多卓越特性。在电子迁移率方面，a-SiTFT的电子迁移率通常仅为0.5cm2/V?S，而LTPS-