基本信息
文件名称：GB/T 46789-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验.pdf
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总页数：4 页
更新时间：2026-01-20
总字数：约6.07千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT467892025IEC624172010
半导体器件金属氧化物半导体场效应
晶体管()的可动离子试验
MOSFETs
—
SemiconductordevicesMobileiontestsformetal-oxidesemiconductor
()
fieldeffecttransistorsMOSFETs
(:,)
IEC624172010IDT
2025-12-02发布2026-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT467892025IEC624172010
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4符号和缩略语……………1
5概述………………………1
6测试设备…………………2
7测试结构…………………2
8样本大小…………………2
9条件………………………2
10程序………………………2
10.1偏压温度应力………………………2
10.2电压扫描……………3
11判据………………………3
12报告………………………4
Ⅰ
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GBT467892025IEC624172010