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2026年数电笔试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.在2026年主流14nmFinFET工艺下，若VDD=0.8V，阈值电压Vt=0.35V，室温下电子迁移率μn=520cm2/V·s，氧化层厚度tox=1.8nm，则NMOS管在饱和区的本征增益gmro约为

A.12??B.18??C.25??D.32

答案：C

解析：gmro=2/(λ·Vov)，λ≈0.06V?1，Vov=VGS?Vt≈0.25V，代入得gmro≈2/(0.06×0.25)=25。

2.某12bitSARADC采用单调切换电容阵列，单位电容Cu=50fF，若