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2026年硬件设计笔试题及答案

一、单选题（每题2分，共20分）

1.在28nmCMOS工艺下，某反相器输入高电平为0.9V，若PMOS与NMOS的阈值电压绝对值均为0.35V，则该反相器在室温下的近似高电平噪声容限为

A.0.20V?B.0.25V?C.0.30V?D.0.35V

答案：B

解析：噪声容限V_NH=V_OH–V_IH≈0.9–0.65=0.25V，其中V_IH取0.65V为仿真经验值。

2.某DDR5-6400颗粒在1.1V下工作，单端信号走线特性阻抗50Ω，若驱动器输出上升时间为35ps，则临界走线长