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文件名称:化学机械抛光半导体晶片用的抛光液.doc
文件大小:36 KB
总页数:1 页
更新时间:2026-01-23
总字数:约小于1千字
文档摘要
化学机械抛光半导体晶片用的抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
2#
3#
磨料铝溶胶,粒径为7nm
20
-
-
磨料铝溶胶,粒径为9nm
-
-
30
磨料硅溶胶,粒径为5nm
-
25
-
表面活性剂壬基酚聚氧乙烯醚
5
8
10
分散剂聚乙烯醇
6
9
7
螯合剂六羟丙基丙二胺
4
5
6
氧化剂硝酸
5
3
1
去离子水
余量
余量
余量
制备方法取磨料铝溶胶,在强烈搅拌下,逐渐加入表面活性剂,加入分散剂,加入螯合剂,再加入氧化剂,其余加入去离子水,并用氢氧化钾调节其PH值,且使最终的抛光液的PH值为5,便制得本品的抛光液。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨