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文件名称:化学机械抛光半导体晶片用的抛光液.doc
文件大小:36 KB
总页数:1 页
更新时间:2026-01-23
总字数:约小于1千字
文档摘要

化学机械抛光半导体晶片用的抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

1#

2#

3#

磨料铝溶胶,粒径为7nm

20

磨料铝溶胶,粒径为9nm

30

磨料硅溶胶,粒径为5nm

25

表面活性剂壬基酚聚氧乙烯醚

5

8

10

分散剂聚乙烯醇

6

9

7

螯合剂六羟丙基丙二胺

4

5

6

氧化剂硝酸

5

3

1

去离子水

余量

余量

余量

制备方法取磨料铝溶胶,在强烈搅拌下,逐渐加入表面活性剂,加入分散剂,加入螯合剂,再加入氧化剂,其余加入去离子水,并用氢氧化钾调节其PH值,且使最终的抛光液的PH值为5,便制得本品的抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨