CMOS数字集成电路原理与分析;

自对准工艺

离子注入

Si衬底(或阱)Si衬底(或阱)

工艺偏差

1.光刻套准误差对MOS器件性能的影响

实际器件与设计目标存在偏差，器件性能不均衡

2.掺杂浓度偏差对MOS器件性能的影响

沟道掺杂过程中，剂量偏差(±3%-5%)直接改变载流子浓度分布，导致阈值电压波动。

3.成膜厚度偏差对MOS器件性能的影响

在栅氧化层制备中，厚度偏差会直接改变栅极电容值，导致阈值电压波动。在金属互连层中，厚度不均会导致电阻(R)与寄生电容(C)不均。

柑极氧化膜

硅化物

深亚微米工艺;

要点内容