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文件名称:用于砷化镓晶片的抛光液.doc
文件大小:34 KB
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更新时间:2026-01-23
总字数:约小于1千字
文档摘要
用于砷化镓晶片的抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
2#
CeO2磨料,粒径100~120nm
40
-
水溶硅溶胶磨料,粒径为60~80nm
-
750
四羟基乙基乙二胺
4
-
EDTA
-
30
氢氧化钾
4
60
脂肪醇聚氧乙烯醚
1
-
烷基醇酰胺
-
15
去离子水
余量
余量
制备方法首先将制备抛光液的各种组份分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组份在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨料40~750、螯合剂4~30、表面活性剂1~15、PH调节剂4~60、去离子水余