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文件名称:超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液.doc
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总页数:2 页
更新时间:2026-01-23
总字数:约1.07千字
文档摘要
超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
2#
3#
磨料硅溶胶,粒径15~20nm
40
-
50
CeO2磨料
-
18
-
螯合剂六羟丙基丙二胺
6
-
-
螯合剂四羟乙基乙二胺四乙酸四胺盐
-
26
-
螯合剂螯合环的羟胺
-
-
1
络合剂四羟乙基乙二胺
-
-
24
氧化剂过氧化氢
1
6
10
FA/O活性剂
5
-
-
聚氧乙烯烷基胺活性剂(或脂肪醇聚氧乙烯醚)
-
10
-
烷基醇酰胺活性剂
-
-
10
去离子水
余量
余量
余量
制备方法
(1)实例1~2制备方法:取磨料,在强烈搅拌下逐渐加入氧化剂,加入螯合剂,同时