基本信息
文件名称:英飞凌英飞凌SiC MOSFET驱动模块FS01MR12A8MA2B用户手册.pdf
文件大小:1.82 MB
总页数:19 页
更新时间:2026-01-23
总字数:约5.41万字
文档摘要

FS01MR12A8MA2B

最终数据手册

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英飞凌基于SiCMOSFET的HybridPACKDriveG2模块FS01MR12A8MA2B

特性

?电气特性

-VDSS=1200V

-IDN=500A

-新型半导体材料—碳化硅

-低RDS,on

-低开关损耗

-低Qg和Crss

-低杂散电感设计

-Tvj,op=175°C

-短时延长工