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文档摘要

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β-Ga?O?器件自热效应剖析与优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高功率、高效率电子器件的需求日益增长。β-Ga?O?作为一种新型的超宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，在高功率领域展现出了巨大的应用前景。β-Ga?O?的禁带宽度高达4.8-4.9eV，约为Si的7倍，GaN的1.4倍，这使得其能够承受更高的电压，具有更低的导通电阻，在高功率器件应用中具备显著优势。其理论击穿场强高达8MV/cm，电子饱和速度可达2×10?cm/s，热稳定性良好，这些优异特性使得β-Ga?O?器件在电力电子、射频通信、航空航天等领域备