功率半导体器件Ch9集成门极换流晶闸管（IntegratedGateCommutatedThyristor,IGCT）电子工程系2025·春

2简介集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristor简称IGCT)IGCT是在GTO结构的基础上，增加透明阳极、场阻止层和逆导技术形成GCT，并将门极驱动电路与GCT通过印刷电路板集成在一起,称为IGCT（组件）。1996年由瑞士ABB公司的半导体AG首先提出HD-TGTO；1997年正式命名为IGCT;1998年IGCT研究和发展到达顶峰；随后日本、德国、美国、韩国、中国也开