车载IGBT器件SiP封装可靠性的多维度剖析与提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球汽车产业向智能化、电动化方向的加速转型，汽车电子在整车性能与功能实现中扮演着愈发关键的角色。作为汽车电子核心部件之一，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）器件在新能源汽车的电力转换与控制系统中发挥着不可替代的作用，堪称新能源汽车的“功率心脏”。在主逆变器中，IGBT将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电，为车辆行驶提供动力；在车载充电机（OBC）里，它又将220V交流电转换为直流，实现对高压电池的充电；此外，在诸如P