基本信息
文件名称：MI2-SiC功率器件型号信息.pdf
文件大小：1.53 MB
总页数：5 页
更新时间：2026-01-30
总字数：约6.96千字
文档摘要
技术|Technology–SiC功率器件
解决SiC超结MOSFET的生产问题
一种新颖的离子注入技术改进了SiC功率器件，包括超结MOSFET的制造。
MichaelRueb，MI2-FACTORY
在千禧年之际，硅的电力电子行业发生了一价格，因为芯片可以更小，因此可以更便宜。请
场无声的革命。当时，由于在单极、高压注意，随着标称击穿电压的升高，超结设计与传
器件中引入了超结结构，商用晶体管的导通电阻统单极器件之间的漂移层导通电阻之差也会增大，