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文件名称:cctof介电陶瓷的制备与击穿性能研究.pdf
文件大小:1.03 MB
总页数:21 页
更新时间:2026-01-30
总字数:约1.87万字
文档摘要
CCT(O,F)介电陶瓷的制备与击穿性能研究
摘要
如今随着科技日益进步,高介电常数材料被广泛应用于大容量电器中。在众多陶瓷材料中
CaCu3Ti4O12陶瓷相比其他陶瓷有较高的的介电常数,而且它的介电常数在很宽的频率范围内极为接
近常数。其在实际应用中有着较大的潜力,但它较高的介电损耗却极大地限制了它的应用。故在电子
陶瓷的研究中,有很多种课题是研究如何使CCTO陶瓷材料可以在保持巨介电常数的同时也可以降低
CCTO陶瓷材料的介电损耗。
在众多课题研究中发现,使介电损耗降低的方法有很多种,但掺杂是其中应用较多且比较有效的
方式之一。同时制备CaCu3T