基本信息
文件名称：深亚微米IC设计中信号性问题分析与对策.pdf
文件大小：1.38 MB
总页数：18 页
更新时间：2026-01-31
总字数：约2.7万字
文档摘要
深亚微米IC设计信号的完整性
信号完整性电迁移天线效应电压降落串扰
：随着深亚微米工艺的发展，影响信号完整性的因素如电迁移，天线
效应，电压降落，串扰等逐渐显现出来，由于这些因素影响了的信号完整性，
导致电路性能的大幅下降，甚至使电路失效。因此对这些影响信号完整性因素的分
析和解决是非常必要的。
由于功耗的不断增加，互连线上的电流密度也越来越大，有可能造成了细
线上的电迁移现象。在制造过程中晶体管的栅极