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文件名称：氧化镓外延片.docx
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总页数：4 页
更新时间：2026-02-01
总字数：约4.23千字
文档摘要
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《氧化镓外延片》标准立项与发展研究报告
EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationDevelopmentandProjectInitiationofGalliumOxideEpitaxialWafers
摘要：
本报告旨在系统阐述《氧化镓外延片》标准立项的背景、目的、意义、范围及主要技术内容，并对相关标准化技术委员会进行介绍。氧化镓（Ga?O?）作为第四代宽禁带半导体材料的核心代表，因其超宽禁带（~4.9eV）、高击穿电场（~8MV/cm）、优异的巴利加优值（BFOM）以及可采用熔体法生长大尺寸单晶衬底的