铁电电容特性剖析及负电容垂直纳米线晶体管仿真特性深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今微电子领域，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，晶体管尺寸的进一步缩小面临着诸多挑战，如短沟道效应导致的漏电流增加、亚阈值摆幅难以突破限制等，这使得传统金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能提升愈发困难，功耗问题也日益突出，严重制约了集成电路的发展和应用。因此，寻找新型材料和器件结构，以实现更低功耗、更高性能的电子器件，成为了微电子领域研究的关键方向。

铁电材料凭借其独特的铁电性、压电性和热释电性等优异性能，在微电子技术、传感器、存储器、光电子学等多个领域展现出了巨大的应用潜力。铁电