低维Si基材料：制备工艺、发光特性与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，硅（Si）基材料凭借其在地壳中丰富的储量、相对低廉的成本以及成熟的制备工艺，始终占据着举足轻重的地位。自半导体产业兴起以来，硅基材料作为制造集成电路的核心材料，推动了电子信息技术的飞速发展，从最初的简单晶体管到如今高度集成的大规模、超大规模集成电路，硅基材料的性能不断提升，尺寸不断缩小，使得电子设备的运算速度越来越快、体积越来越小、功耗越来越低。

随着科技的不断进步，传统三维体相硅基材料在光电器件应用方面逐渐暴露出一些局限性。例如，在光发射效率上，体相硅由于其间接带隙的特性，光发射过程