基本信息
文件名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第5部分：高压高温高湿反偏.docx
文件大小：43.11 KB
总页数：6 页
更新时间：2026-02-02
总字数：约6.1千字
文档摘要
*
《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第5部分：高压高温高湿反偏》标准立项与发展报告
EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationof“TestMethodsforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(SiCMOSFETs)–Part5:HighVoltage,HighTemperature,HighHumidityReverseBias”
摘要
随着第三代半导