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薄膜电阻器件因其卓越的物理和电学性能在小到日常电子设备，大到航空航

天等领域的电力电子系统中有着广泛的应用。随着电子信息技术的飞快发展，模

拟集成电路正朝着高精度，高稳定性和高可靠性的方向发展，迫切需求高稳定性、

低电阻偏差、低电阻变化率、低电阻电压系数、低电阻温度系数（TCR,Temperature

coefficientofresistance）的高精度薄膜电阻器件。铬硅镍钼（Cr-Si-Ni-Mo）薄膜

因其低TCR、熔点高、热稳定性强和耐腐蚀等特性已成为薄膜电阻器研究热点。

针对传