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文件名称:2026《忆阻器简易逻辑电路分析》4100字.docx
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总页数:10 页
更新时间:2026-02-03
总字数:约4.07千字
文档摘要
忆阻器简易逻辑电路分析
1.1仅由忆阻器构成的辅助逻辑:
文献[25]最早提出忆阻器-CMOS混合逻辑电路,并提出了一系列仅由忆阻器构成的辅助逻辑的电路设计。其中提到基本的布尔逻辑中运算“与”和“或”逻辑门是由两个忆阻器按照极性反向串联而成,如下图1.1和图1.2所示。其中A和B作为两个忆阻器M1和M2的输入信号,Vout
图1.1“与”逻辑门原理图
图1.2“或”逻辑门原理图
前一种情况当A端接高电平,B端接地时,电流方向由A→M1→M2→B,此时由于从忆阻器负端接入,忆阻器M1的阻值会慢慢增大到ROFF,同时M2由于从正端接入,其阻值会慢慢减少到RON,由于在模型设置上ROFF