柔性可弯曲钛酸钡阻变存储器件：制备、性能与应用的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，电子存储技术作为信息社会的关键支撑，始终处于不断革新的前沿。随着物联网、人工智能、大数据等新兴技术的迅猛崛起，数据量呈爆炸式增长态势，对存储器件的性能提出了更为严苛的要求。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（FlashMemory），在存储密度、读写速度、功耗以及柔韧性等方面逐渐暴露出诸多瓶颈，难以满足现代电子设备日益增长的高性能、小型化、柔性化需求。因此，开发新型高性能存储器件，成为了学术界和产业界共同关注的焦点。

钛酸钡（BaTiO?）作为一种典型的