基本信息
文件名称：7-GGNMOS设计仿真训练.docx
文件大小：350.5 KB
总页数：9 页
更新时间：2026-02-04
总字数：约1.36千字
文档摘要
GGNMOS设计仿真
器件结构和仿真任务
用SDE法建立GGNMOS结构，完成如下仿真任务：
用SDE法建立GGNMOS结构，用svisual工具查看二维结构图。
用sdevice工具仿真器件特性，在阳极加上升时间10ns，脉宽100ns的脉冲进行TLP仿真，用inspect工具观察一维曲线。
将TLP仿真数据记录并绘制TLP曲线。
报告要求
器件结构掺杂分布图、网格分布图。
器件电流分布图，分析ggnmos的工作原理。
记录不同脉冲下的电压值，并绘制TLP曲线（V-I曲线）。
搭建器件结构
打开TCADsentaurus软件，新建一个project，点击add，在tools中选择sde，进