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第四章功率器件驱动电路功率集成电路基础

本章内容栅控功率器件及开关特性4.1栅极驱动电路4.24.3栅极驱动电路基本单元栅极驱动关键技术4.4

4.1栅控功率器件及开关特性结构及工作原理VDMOS的结构IGBT的结构(1)垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)结构：n+n-pn+结构,电流垂直流动。特点：开关速度快，无电导调制效应，导通电阻较大。工作原理：VGS=0时，栅极下方的p体区表面不会产生沟道，此时VDMOS处于截止状态；VGSVT时，p体区表面出现强反型，形成N型导电沟道，VDMOS进入导通状态；VGS大小不变，当VDS较小且VDSVGS-VT时，VDMOS处于线性区。(2)