基本信息
文件名称：功率集成电路基础 课件 第3章 功率集成电路工艺.pptx
文件大小：3.07 MB
总页数：24 页
更新时间：2026-02-04
总字数：约6.48千字
文档摘要
第三章功率集成电路工艺功率集成电路基础
本章内容BCD工艺简介3.1BCD工艺中的核心器件3.2BCD工艺中的关键技术3.3BCD工艺流程3.4其他BCD工艺3.5功率集成技术前沿3.6
3.1BCD工艺简介BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺是当前功率集成电路主要采用的工艺。1985年，意法半导体的工程师开创了在同一芯片上集成了双极型器件、CMOS器件、DMOS器件的第一代BCD工艺。BCD工艺融合了双极型器件的低噪声、高精度和大电流密度特性，CMOS器件的高集成度、低功耗、易逻辑控制的优势，以及DMOS器件的高耐压、快速开关、高输入阻抗、强驱动