基本信息

---

下载

文档摘要

---

半导体器件试题库

常用单位：

在室温（Ｔ=300K）时，硅本征载流子的浓度为ｎi=１.5×1010／cm３

电荷的电量q＝１.６×１0-19Ｃμｎ＝1350μｐ＝５00

ε０=８．85４×１0-１２

一、半导体物理基础部分

(一)名词解释题

杂质赔偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时,施主和受主在导电性能上有相互抵消的作用，通常称为杂质的赔偿作用。

非平衡载流子：半导体处在非平衡态时,附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度,额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。

迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。

晶向: