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文件名称:8-功率集成电路的ESD箝位电路设计训练.docx
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总页数:10 页
更新时间:2026-02-04
总字数:约1.29千字
文档摘要

功率集成电路的ESD箝位电路设计

设计任务

基于高压工艺(例:SMIC18BCD)完成功率集成电路的箝位电路设计,设计要求如下:

设计的电路ESD防护等级要达到HBM2KV,即最大失效电流最少要达到1.33A;

完成频率触发和电压触发两种触发模式的箝位电路设计和仿真。

报告要求

设计电路原理图。

给出ESD条件下的节点电压和放电电流图,分析电路的工作原理。

电路设计

本次任务电路设计基于某BCD工艺完成,使用5VMOS管。

频率触发箝位电路

如下图是采用采用RC频率触发的电路设计,正常上电情况下(上电时间约为0.1-1ms),RC检测支路,电容跟随VDD的变化,B节点始终为低电压,N2管的