基本信息
文件名称：6-LDO电路设计与仿真训练.docx
文件大小：1.23 MB
总页数：15 页
更新时间：2026-02-04
总字数：约3.97千字
文档摘要
LDO电路设计与仿真
设计任务
基于BCD工艺（例：SMIC18BCD）完成LDO电路设计，设计要求如下：
完成带隙基准电路、误差放大器、电阻反馈网络和功率管模块的电路设计；
完成LDO关键参数仿真验证；
在-55℃~125℃范围内输出电压漂移量小于20ppm/℃；
设计电路的电源抑制比大于70dB。
轻载情况下环路增益大于80dB，相位裕度大于60°。
报告要求
给出带隙基准电路、误差放大器、电阻反馈网络和功率管电路原理图，并分析工作原理和设计思路。
完成LDO关键参数仿真验证，并对结果进行分析说明。
电路设计
本次任务电路设计基于某BCD工艺完成，使用5VMOS管完成带隙基准电路、误差放